Последовательно - это имеется в виду относительно цепи базы входного тр-ра. Активные потери+ реактивные (модуль сопротивления индуктивности на вч). Втекающий ток.
Как правило, при замене пермаллоя на аморф я всегда ставлю параллельно 1МОму шунт в 50-100кОм для снижения резонансного подъема. И шума.


P.S. Нюанс, про который все забывают, но про который напоминал неоднократно тов. Агеев - шум УВ зависит от двух составляющих шума напряжения и шума тока: Еш=Енапр+Етока. Шум тока преобладает над шумом напряжения, потому что головка - индуктивность и Eтока=iшX, где iш - суммарный шумовой ток, втекающий в базу (с учетом шумового тока самого тр-ра) а Х- модуль сопротивления на частоте. И это сопротивление на ВЧ намного больше активных потерь (потерь на постоянном токе). Поэтому для УВ и ФК надо выбирать транзистор с минимальным шумовым током (каррент нойз), а не минимальным шумовым напряжением.

---

(26-04-2023 11:36)Djfirst писал(а):  вчи англійську Олеже

Да, пардон, описка, "овер-биас" разумеется, переподмаг там имелся в виду.
"Андер" - заниженный для попсы, например, или электронной музыки с преобладанием ВЧ.