Ну как не прямо... есть у транзисторов "switching losses" и есть "conduction losses".
Первые - прямо (прямее не бывает) пропорционально частоте, вторые - току.
Вот как раз GaN (благодаря низким емкостям) хорошо справляются с первыми, но хуже чем MOSFET со вторыми.

А то что есть ферриты, не отменяет потери в обмотке ( "skin", "proximity" effects) которые имеют значительный вклад.