(25-03-2016 17:55)radist08 писал(а):  

Современная концепция усилителя мощности
низкой частоты бытового и про. применения.
2016 год.

1. Конструктив.
- отказ от жгутовых соединений,
- оптимизация монтажных соединений,
- ИИП с технологией PFC,
- помехозащищенный внутренний монтаж.
2. Технология.
- МПП,
- СМД,
- использование тепловых связей,
- термостатирование
- RF технологии подавления внутренних и внешних помех.
3. Схемотехника.
- полная балансная симметрия,
- много транзисторный ВК на MOSFET,
- XD, SA или СЛ меры снижения коммутационных помех,
- отсутствие внутренних стабилизаторов,
- единое напряжение питания для всех каскадов,
- полная межкаскадная буферизация.

Напоминеает Рогожинский усь.

ВК на MOSFET - чем продиктован именно такой выбор? С каким ТП в этой концепции должны работать транзисторы ВК? В каком классе вообще должен работать ВК и предварительные каскады? Что с ОООС?

toyo отредактировал сообщение 25-03-2016 19:51: 1.6 Оверквотинг. (+1 штрафных очков)